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    也就是磁力线的方向)是环绕着电流的一些闭合曲线，磁力线和由此产生的磁通量(可以被看做磁力的流动)，是一些位于垂直于电流的平面上的同心圆，是围绕产生它们的电流呈环形流动的。靠近电流的地方磁场较强，离电流远的地方，磁力和磁流就越弱。磁力线方向与电流方向的关系可以用右手螺旋法则来判定。将右手握住导线，拇指伸直，如果拇指电流方向，弯曲的手指磁场环绕方向。当线圈安装在地板上，而助听器佩戴者是坐着或站着时，在回路中，在头部高度的磁力线以水平为主。这样，在头部高度，磁场的垂直部分就有一个近乎持续的量几乎覆盖整个房间。刚进人回路处是个例外，那里，除了垂直部分很弱外，整个磁场都较强。以上特性很重要，因为助听器中的接受线圈的安装是垂直的，它*能拾取磁场的垂直部分。这里已经讨论了沿着回路一个方向的电流，然而声音是音频信号，相对应于原始声波中的正压和负压，方向每秒会倒转许多次。因此，循环的磁场每秒也会倒转许多次。事实上，根据电磁场理论，吉林传感器线圈线圈，正是持续改变的磁流使拾音线圈感知，产生一个音频电流(地球的磁场不会影响线圈，吉林传感器线圈线圈，正是因为地球磁场有持续的力量和方向)。，吉林传感器线圈线圈。单向传感器线圈芯，无锡东英电子有限公司。吉林传感器线圈线圈

    在实际工作中，一般不进行这种检测，*进行线圈的通断检查和Q值的大小判断。[1]可先利用万用表电阻档测量线圈的直流电阻，再与原确定的阻值或标称阻值相比较，如果所测阻值比原确定阻值或标称阻值增大许多，甚至指针不动（阻值趋向无穷大X）可判断线圈断线；若所测阻值极小，则判定是严重短路或者局部短路是很难比较出来。这两种情况出现，可以判定此线圈是坏的，不能用。如果检测电阻与原确定的或标称阻值相差不大，可判定此线圈是好的。此种情况，我们就可以根据以下几种情况，去判断线圈的质量即Q值的大小。线圈的电感量相同时，其直流电阻越小，Q值越高；所用导线的直径越大，其Q值越大；若采用多股线绕制时，导线的股数越多，Q值越高；线圈骨架（或铁芯）所用材料的损耗越小，其Q值越高。例如，高硅硅钢片做铁芯时，其Q值较用普通硅钢片做铁芯时高；线圈分布电容和漏磁越小，其Q值越高。例如，蜂房式绕法的线圈，其Q值较平绕时为高，比乱绕时也高；线圈无屏蔽罩，安装位置周围无金属构件时，其Q值较高，相反，则Q值较低。屏蔽罩或金属构件离线圈越近，其Q值降低越严重；对有磁芯的的位置要适当安排合理；天线线圈与振荡线圈应相互垂直，这就避免了相互耦合的影响。。江西传感器线圈参数传感器线圈参数，无锡东英电子有限公司。

    发射线圈106的两条迹线位于图上的位置0和位置5处，而接收线圈104被定位在位置0和位置5之间。图3c示出这些迹线之间的磁场在两条迹线之间具有小值。图3c没有示出由于连接图3c中所示的两条迹线并且垂直于图3c中所示的迹线的两条迹线而引起的另外的变形(distortion)。图3d和图3e还示出可能由发射线圈106中的位移引起的不准确性。如图3d和图3e所示，发射线圈106包括位移330，该位移使发射线圈106产生的磁场变形。来自位移330的杂散场在接收线圈104中产生不平衡。因此，将由于这些特征而产生位置确定的不准确性。图4a和图4b示出可用于评估位置定位系统的校准和测试设备400。由于诸如上文所述的那些之类的磁耦合原理的不理想性，可以使用校准过程来校正目标相对于定位设备的测量位置。此外，系统400可用于测试诸如上文所述的那些之类的定位系统的准确性。图4a示出示例系统400的框图。如图4a所示，金属目标408被安装在平台406上，使得在位置定位系统410上方。定位器404能够以精确的方式相对于位置定位系统410移动平台406。如上所述，位置定位系统410包括形成在pcb上的发射线圈和接收线圈，并且可以包括控制器402，控制器402从接收线圈接收信号并处理该信号并驱动发射线圈。

    如图3a所示，线圈112由pcb322的顶侧上的迹线302和pcb322的底侧上的迹线304形成。迹线302和迹线304通过穿过pcb322而形成的通孔306电接合。如图3a所示，通孔306、顶侧迹线302和底侧迹线304被布置为允许形成余弦定向线圈112。例如，部分310和部分312允许线圈112交叉以形成环路114、环路116和环路118，同时在相交处将迹线分离。如进一步示出的，部分314、部分316、部分318和部分320允许余弦定向线圈112覆盖在pcb上。然而，通孔306和pcb322的相对的两侧上的迹线302和迹线304的存在降低了由线圈104检测到的信号的有效幅度。有效地，通孔306在发射线圈106和信号线圈104之间形成间隙距离，这本身对位置定位系统的准确性有很大的影响。这还与以下相结合：由于在pcb322的顶侧和底侧上都形成了信号线圈104的迹线，而导致的金属目标124和pcb322上的信号线圈104之间的有效气隙的增加。图3b示出另一个关于对称性的问题，其中，发射线圈106与接收线圈104是不对称的。在图3b所示的情况下，接收线圈104不以发射线圈106为中心，并且形成与接收线圈104和发射线圈106的连接的迹线也不对称。图3c示出由发射线圈106生成的磁场强度的不均匀性。如图3c所示。塑封传感器线圈，无锡东英电子有限公司。

    如下面更详细地讨论的，在一些实施例中，形成发射线圈、线圈和连接线的迹线用一维金属导线表示。一些实施例可以使用更精细的仿真算法，例如块体积元素(brickvolumetricelement)、部分元素等效电路(peec)或基于体积积分公式的方法，其可以提供对由实际三维电流承载结构所产生的磁场进行估计的进一步的提高。金属目标通常可以由导电表面表示。如图10a所示，算法704在步骤1002处开始。在步骤1002中，获得描述tx线圈和rx线圈、目标的几何形状、气隙规范和扫描规范的pcb迹线设计。这些输入参数例如可以由算法700提供，要么在算法700的输入步骤702期间通过初始输入，要么从来自算法700的线圈调整步骤712的经调整的线圈设计来提供，如图7a所示。算法704然后进行到步骤1003。在步骤1003中，算法704以在步骤1002中设置的频率参数计算发射线圈(tx)的迹线的电阻r和电感l。在不存在目标的情况下执行计算，以给出品质因数的估计q＝2πfl/r。在步骤1004中，设置参数以仿真特定线圈设计的性能和在步骤1002中接收的线圈设计的气隙，其中金属目标如在扫描参数中定义的被设置在现行位置。如果这是次迭代，则将现行位置设置为在步骤1002中接收到的数据中所定义的扫描的起点。否则。高速传感器线圈，无锡东英电子有限公司。吉林传感器线圈线圈

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    此处提供的电压描述是成比例的，并且被描述为完整环路(环路120、环路122和环路116)的比例可以具有大表示1，而环路114和环路118可以具有大表示1/2。符号环路的参考方向，其导致从该环路生成电压。参考方向是任意的，并且无论选择两个可能的方向中的哪一个方向来表示正方向，都可以计算出一致的结果。然而，在金属目标124被放置在0°位置的情况下，正弦定向线圈112的环路114中的磁场108被金属目标124中生成的涡电流抵消，使得vc＝0。在正弦定向线圈112的环路116中，环路116在金属目标124下方的一半中的磁场108被金属目标124中形成的涡电流抵消，但是环路116不在金属目标124下方的一半中的磁场108生成电压。由于环路116的一半被暴露，因此生成的电压为vd＝-1/2。此外，在正弦定向线圈112的环路118中生成电压，使得ve为1/2。然而，由环路116生成的电压被在环路118中生成的电压抵消，导致正弦定向环路112两端的电压信号为0；vsin＝vc+vd+ve＝0。在金属目标124相对于余弦定向线圈110的相同定向下，环路120被金属目标124覆盖，使得va＝0。环路122被暴露，使得vb＝1。因此，余弦定向线圈110两端的电压vcos由va+vb＝1给出。吉林传感器线圈线圈

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