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晶振的主要参数：负载电容。负载电容是指晶振的两条引线连接的集成电路（IC）内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载电容不同，振荡器的振荡频率不同。但标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。一般来说，有低负载电容（串联谐振晶体）和高负载电容（并联谐振晶体）之分。因此，上海圆柱形直插晶振制造商，标称频率相同的晶体互换时还必须要求负载电容一致，不能轻易互换，否则会造成电路工作不正常。频率准确度。频率准确度是指在标称电源电压、标称负载阻抗，上海圆柱形直插晶振制造商、基准温度（25℃）以及其他条件保持不变时，上海圆柱形直插晶振制造商，晶体振荡器的频率相对于其规定标称值的较大允许偏差，即（fmax-fmin）/f0。通常工作条件下，普通的晶振频率精度可达百万分之五十。上海圆柱形直插晶振制造商
晶振具有压电效应，即在晶片两极外加电压后晶体会产生变形，反过来如外力使晶片变形，则两极上金属片又会产生电压。如果给晶片加上适当的交变电压，晶片就会产生谐振（谐振频率与石英斜面倾角等有关系，且频率一定）。晶振利用一种能把电能和机械能相互转化的晶体，在共振的状态下工作可以提供稳定、精确的单频振荡。在通常工作条件下，普通的晶振频率精度可达百万分之五十。利用该特性，晶振可以提供较稳定的脉冲，普遍应用于微芯片的时钟电路里。晶片多为石英半导体材料，外壳用金属封装。温州32.768khz晶振价格具有自动增益控制的振荡电路，是目前获得振荡频率高稳定度的比较理想的技术方案。
周期性输出信号的标称频率（Normal Frequency），就是晶体元件规格书中所指定的频率，也是工程师在电路设计和元件选购时首要关注的参数。晶振常用标称频率在1～200MHz之间，比如32768Hz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，更高的输出频率也常用PLL（锁相环）将低频进行倍频至1GHz以上。输出信号的频率不可避免会有一定的偏差，我们用频率误差或频率稳定度，用单位ppm来表示，即百万分之一（1/106），是相对标称频率的变化量，此值越小表示精度越高。
晶振的负载电容的选择：晶体工作在基频时，其负载电容的标准值为20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶体经常工作在串联谐振，在使用负载电容的地方，其负载电容值应从下列标准值中选择：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。激励电平的影响：一般来讲，AT切晶体激励电平的增大，其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应，导致可能出现寄生振荡；严重热频漂；过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标的不稳定。滤波电路中的应用：应用于滤波电路中时，除通常的规定外，更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度，由于滤波晶体设计的特殊性，所以用户选购时应特别说明。压控制晶体振荡器是通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。
晶振在应用具体起到的作用，微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；RC（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置，适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。但其性能受环境条件和电路元件选择的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。并联型晶体振荡器：三极管VT与R1、R2、R3、R4构成放大电路。温州32.768khz晶振价格
晶振利用一种能把电能和机械能相互转化的晶体，在共振的状态下工作可以提供稳定、精确的单频振荡。上海圆柱形直插晶振制造商
振荡器频次：振荡电路中，一个晶体管和一个线圈 - 电容由连接的组合是电路依赖振荡条件（哈特莱振荡器的Colpitts振荡器电路，等等）。在这些电路中，当将晶体谐振器连接到需要线圈作为振荡条件的部分时，可以获得固有频率的振荡输出。该频率可以很容易地以10 6的数量级获得，并且是****的，因此被普遍用作频率和时间的参考。由于晶体的大小，许多实际使用的晶体振荡器约为1-20 MHz。当需要更高的频率时，将执行泛音振荡（或可将用于高频的晶体单元用于泛音），或者使用倍频器。上海圆柱形直插晶振制造商
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