福建SMA瞬态抑制二极管失效 上海来明电子供应

PN结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，常用的半导体功率器件如DMOS，IGBT，SCR等的反向阻断能力都直接取决于PN结的击穿电压，因此，PN结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。在PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除superjunction之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有比较高的击穿电压。实际的功率半导体器件的制造过程一般会在PN结的边缘引入球面或柱面边界，该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压，福建SMA瞬态抑制二极管失效，福建SMA瞬态抑制二极管失效，使功率半导体器件的击穿电压降低，福建SMA瞬态抑制二极管失效。由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应，使实际制造出的PN结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。DO-41封装的TVS一般有P4KE系列（400W）。福建SMA瞬态抑制二极管失效

要减少TVS短路失效，首先应加强TVS制造工艺过程的控制，尤其是对烧焊、台面成型、碱腐蚀清洗、掺杂等工艺过程的控制，以减少或消除TVS的固有缺陷。例如:国际上采用先进的烧焊工艺已能将空洞面积控制在10%以下，采用离子注入掺杂能对掺杂过程进行更好的控制，这些都**提高了TVS的可靠性。其次，做到TVS的正确选型与安装，比较好对TVS进行降额使用，这样可使TVS承受的功率较小，使用可靠性**增加。此外，为使TVS发生短路失效时对被保护电子设备的影响降到比较低，通常可在TVS前串接一条与之匹配的保险丝。福建SMA瞬态抑制二极管失效当电路中通过的电流太大，可能会造成TVS炸裂，失效模式为开路。

TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用***过TVS的电流，由原来的反向漏电流ID上升到IR时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，TVS被击穿。随着峰值脉冲电流的出现，流过TVS的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的比较大箝位电压以下。尔后，随着脉冲电流按指数衰减，TVS两极的电压也不断下降，***恢复到起始状态。这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件的整个过程。

1、将TVS二极管加在信号及电源线上，能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲，如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。2、静电放电效应能释放超过10000V、60A以上的脉冲，并能持续10ms；而一般的TTL器件，遇到超过30ms的10V脉冲时，便会导至损坏。利用TVS二极管，可有效吸收会造成器件损坏的脉冲，并能消除由总线之间开关所引起的干扰（Crosstalk）。3、将TVS二极管放置在信号线及接地间，能避免数据及控制总线受到不必要的噪声影响。瞬态电压抑制二极管简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。

干扰脉冲过去后，TVS又转入反向截止状态。由于在反向导通时，其箝位电压低于电路中其它器件的最高耐压，因此起到了对其它元器件的保护作用。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位时间<1ns。TVS在其散热及功率承受范围内可反复应用于电路的过压保护。TVS根据极性可分为单向和双向TVS。单向TVS一般适用于直流电路，双向TVS一般适用于交流电路中。由于TVS起保护作用响应速度快、使用寿命长、封装多样化，钳位电压低，因此在瞬变电压防护领域有着非常多方面的应用。TVS发生短路失效，释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏，这是TVS我们极力减少或避免的情况。广东瞬态抑制二极管封装

做到 TVS 的正确选型与安装，比较好对 TVS 进行降额使用，这样可使 TVS 承受的功率较小。福建SMA瞬态抑制二极管失效

瞬态电压抑制二极管（TransientVoltageSuppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。福建SMA瞬态抑制二极管失效

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